AFM 氧化

AFM-針尖誘發的氧化製程乃是基於在正常週遭狀況下，使針尖相對於基層產生電位負偏移，此基層可能是一個半導體或是一片金屬。當針尖以接觸的模式設定在基層表面上移動時，基層就會被局部性地氧化。這個化學反應的氧化劑就是由水滴所提供的OH^-離子，此離子是在針尖和基層的介面間形成的。因此AFM氧化製成的側向解析能力是非常倚賴空氣中的溼度。舉一個實例， 請看底下氧化矽在兩個不同度溼度下，被刻寫入矽晶的狀況。在週遭溼度61%所刻寫的線條(左圖) 是會比在溼度14%時所刻寫的線條(右圖)寬。