奈米管場效應電晶體

電晶體是積體電路的基礎建構方塊。要能在未來的電路上應用奈米管，關鍵上就必須要能將他們製造成電晶體。IBM研究團隊使用單一多壁或是單壁的奈米管來當作一個場效應電晶體 (field-effect transistor, FET) 的通道，已經成功地鑄造出奈米管電晶體，並且也完成其測試。

他們測量其造出奈米管-FETs的電性特徵，發覺他們可以藉由改變送入閘門(V_G)的電壓，可以改變流經奈米管通道的電流，其變化率可達100,000倍，從他們底下所附的數據就可看出。Ｇ就是此奈米管的低偏電導。

這項研發已經發表在 Applied Physics Letters, vol 73, p. 2447 (1998)

當他們把這個FET 從室溫冷卻到絕對溫度4度時 (華氏零下460度)，他們發現這個東西的行為有巨大的改變。雖然當在室溫時這個東西看起來像一個場效應電晶體，可是在4K時，這個東西確活像一個單電子電晶體(SET)。下面三張圖片就可看出此東西在不同溫度下其行為的變化。